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首页 全部分类 BSN20BKR vs NX138BKR

BSN20BKR备选型号: NX138BKR

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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
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  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Nexperia USA Inc.
    BSN20BKR
    Nexperia USA Inc.
    On a Reel of 3000, N-Channel MOSFET, 330 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSN20BKR
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    265mA Ta
    1.4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    逻辑电平兼容
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    7.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8 Ω @ 200mA, 10V
    20.2pF @ 30V
    0.49nC @ 4.5V
    8.4ns
    60V
    ±20V
    5.1 ns
    265mA
    20V
    0.265A
    60V
    7 pF
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    NX138BKR
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V TO-236AB
    4 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    265mA Ta
    1.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5 Ω @ 200mA, 10V
    20.2pF @ 30V
    0.49nC @ 4.5V
    -
    60V
    ±20V
    -
    265mA
    -
    0.265A
    60V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    IEC-60134
    R-PDSO-G3
    TO-236AB
    3.8Ohm
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