Nexperia USA Inc. BSN20BKR

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

265mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

310mW Ta

Turn Off Delay Time

12.5 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.4V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

7.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8 Ω @ 200mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

20.2pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.49nC @ 4.5V

上升时间

8.4ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.1 ns

连续放电电流(ID)

265mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.265A

DS 击穿电压-最小值

60V

反馈上限-最大值 (Crss)

7 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅