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首页 全部分类 BSO083N03MSGXUMA1 vs BSO072N03S

BSO083N03MSGXUMA1备选型号: BSO072N03S

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  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
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  • Infineon Technologies
    BSO083N03MSGXUMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin DSO T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.56W
    9.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.3m Ω @ 14A, 10V
    2V @ 250μA
    2100pF @ 15V
    27nC @ 10V
    5ns
    30V
    ±20V
    5.4 ns
    11A
    20V
    30V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSO072N03S
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    12A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.56W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    6.8m Ω @ 15A, 10V
    2V @ 45μA
    3230pF @ 15V
    25nC @ 5V
    5.4ns
    -
    ±20V
    5.4 ns
    12A
    20V
    -
    -
    符合RoHS标准
    e3
    哑光锡
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    30V
    260
    12A
    40
    8
    不合格
    MS-012AA
    30V
    160 pF
    无铅
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