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首页 全部分类 BSO211PHXUMA1 vs IRF7316GTRPBF

BSO211PHXUMA1备选型号: IRF7316GTRPBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 无铅
  • 供应商器件包装
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  • 功率 - 最大
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  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • Infineon Technologies
    BSO211PHXUMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 8-Pin DSO T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    540.001716mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    1.6W
    鸥翼
    未说明
    未说明
    BSO211
    8
    不合格
    增强型MOSFET
    1.6W
    2 P-Channel (Dual)
    67m Ω @ 4.6A, 4.5V
    1.2V @ 25μA
    无卤素
    1095pF @ 15V
    10nC @ 4.5V
    13ns
    20V
    4A
    12V
    -20V
    0.067Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7316GTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -
    4.9A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    2W
    -
    -
    -
    IRF7316GPBF
    -
    -
    -
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    58mOhm @ 4.9A, 10V
    1V @ 250μA
    -
    710pF @ 25V
    34nC @ 10V
    20ns
    30V
    4.9A
    20V
    -
    -
    -
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    -
    8-SO
    150°C
    -55°C
    Dual
    13 ns
    2W
    48 ns
    -30V
    710pF
    58mOhm
    58 mΩ
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
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IRF7316GTRPBF IRF7316GTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC 对比