Infineon Technologies IRF7316GTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.9A

Turn Off Delay Time

34 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2W

基本部件号

IRF7316GPBF

元素配置

Dual

功率耗散

2W

接通延迟时间

13 ns

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

710pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34nC @ 10V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

48 ns

连续放电电流(ID)

4.9A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

输入电容

710pF

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

58mOhm

最大rds

58 mΩ

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准