Infineon Technologies BSO211PHXUMA1
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BSO211PHXUMA1
1211-BSO211PHXUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 8-Pin DSO T/R
1最小包装量--
BSO211PHXUMA1详情
Infineon Technologies BSO211PHXUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
540.001716mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
最大功率耗散
1.6W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BSO211
引脚数量
8
资历状况
不合格
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.6W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
67m Ω @ 4.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 25μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1095pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 4.5V
上升时间
13ns
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
4A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大双电源电压
-20V
漏极-源极导通最大电阻
0.067Ohm
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSO211PHXUMA1拓展信息
Infineon Technologies
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