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首页 全部分类 BSP296L6433HTMA1 vs DMN10H220LE-13

BSP296L6433HTMA1备选型号: DMN10H220LE-13

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSP296L6433HTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    1.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    4
    1.79W
    5.2 ns
    N-Channel
    700m Ω @ 1.1A, 10V
    1.8V @ 400μA
    364pF @ 25V
    17.2nC @ 10V
    7.9ns
    100V
    ±20V
    21.4 ns
    1.1A
    20V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN10H220LE-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    2.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    6.8 ns
    N-Channel
    220m Ω @ 1.6A, 10V
    2.5V @ 250μA
    401pF @ 25V
    8.3nC @ 10V
    8.2ns
    100V
    ±20V
    3.6 ns
    2.3A
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    22 Weeks
    SILICON
    e3
    4
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    DMN10H22
    AEC-Q101
    R-PDSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.22Ohm
    8A
    100V
    无铅
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