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首页 全部分类 BSP316PH6327XTSA1 vs FQT4N20LTF

BSP316PH6327XTSA1备选型号: FQT4N20LTF

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  • Vgs（最大值）
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 宽度
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
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  • 电压 - 额定直流
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    BSP316PH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    680mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SIPMOS®
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    逻辑电平兼容
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    4
    Single
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    4.7 ns
    P-Channel
    1.8 Ω @ 680mA, 10V
    2V @ 170μA
    无卤素
    146pF @ 25V
    6.4nC @ 10V
    7.5ns
    100V
    ±20V
    25.9 ns
    680mA
    20V
    -100V
    0.68A
    2.72A
    1.6mm
    6.5mm
    3.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQT4N20LTF
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    SILICON
    850mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.2W
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    1.35 Ω @ 425mA, 10V
    2V @ 250μA
    -
    310pF @ 25V
    5.2nC @ 5V
    70ns
    -
    ±20V
    40 ns
    850mA
    20V
    -
    0.85A
    -
    1.6mm
    6.5mm
    3.56mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    188mg
    1.35Ohm
    200V
    not_compliant
    850mA
    R-PDSO-G4
    不合格
    SWITCHING
    2V
    200V
    52 mJ
    无SVHC
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