BSP317PH6327XTSA1备选型号: BSP298H6327XUSA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 供应商器件包装
- 终端
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 阈值电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 达到SVHC
- Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R10 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4SILICON430mA Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SIPMOS®2008e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR99Tin (Sn)逻辑电平兼容DUAL鸥翼未说明未说明4Single增强型MOSFET1.8WDRAIN5.7 nsP-Channel4 Ω @ 430mA, 10V2V @ 370μA无卤素262pF @ 25V15.1nC @ 10V11.1ns250V±20V67 ns430mA20V-250V4Ohm-250V1.6mm6.5mm3.5mmROHS3 Compliant无铅------------
- Trans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R10 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA3-500mA Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SIPMOS®2008--最后一次购买3 (168 Hours)---------Single-1.8W-10 nsN-Channel3Ohm @ 500mA, 10V4V @ 1mA无卤素400pF @ 25V-25ns400V±20V20 ns500mA20V400V-400V1.6mm6.5mm6.7mmROHS3 Compliant无铅TinPG-SOT223-4SMD/SMT150°C-55°C3V400V400pF2.2Ohm3 Ω3 V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSP298H6327XUSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
![]() | SPN02N60C3 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223 | 对比 |
![]() | ZVN2110GTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |




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