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BSP317PH6327XTSA1备选型号: BSP299H6327XUSA1
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
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- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 阈值电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R10 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4SILICON430mA Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SIPMOS®2008e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR99Tin (Sn)逻辑电平兼容DUAL鸥翼未说明未说明4Single增强型MOSFET1.8WDRAIN5.7 nsP-Channel4 Ω @ 430mA, 10V2V @ 370μA无卤素262pF @ 25V15.1nC @ 10V11.1ns250V±20V67 ns430mA20V-250V4Ohm-250V1.6mm6.5mm3.5mmROHS3 Compliant无铅----- Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R10 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4SILICON400mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®2009e3yes最后一次购买3 (168 Hours)4EAR99Tin (Sn)雪崩 额定DUAL鸥翼--4Single增强型MOSFET1.5WDRAIN8 nsN-Channel4 Ω @ 400mA, 10V4V @ 1mA无卤素400pF @ 25V-15ns-±20V30 ns400mA20V500V4Ohm500V1.6mm6.5mm3.5mmROHS3 Compliant无铅3V3 V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSP298H6327XUSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
| SPN02N60C3 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223 | 对比 |
 | ZVN2110GTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
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