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首页 全部分类 BSP613PH6327XTSA1 vs FDT3612

BSP613PH6327XTSA1备选型号: FDT3612

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  • Infineon Technologies
    BSP613PH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    BSP613PH6327XTSA1 P-Channel MOSFET, 2.9 A, 60 V SIPMOS, 3 Tab-Pin SOT-223 Infineon
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    PG-SOT223-4
    2.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SIPMOS®
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    -60V
    -2.9A
    1
    Single
    1.8W
    6.7 ns
    P-Channel
    130mOhm @ 2.9A, 10V
    4V @ 1mA
    无卤素
    875pF @ 25V
    33nC @ 10V
    9ns
    60V
    ±20V
    7 ns
    2.9A
    20V
    -60V
    -60V
    875pF
    110mOhm
    130 mΩ
    1.5mm
    40mm
    40mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDT3612
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDT3612 - MOSFET Transistor, N Channel, 3.7 A, 100 V, 0.12 ohm, 10 V, 2.5 V
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    -
    3.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    100V
    3.7A
    1
    Single
    3W
    8.5 ns
    N-Channel
    120m Ω @ 3.7A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    632pF @ 50V
    20nC @ 10V
    2ns
    -
    ±20V
    4.5 ns
    3.7A
    20V
    -
    100V
    -
    -
    -
    1.8mm
    6.5mm
    3.56mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    250.2mg
    SILICON
    e3
    yes
    4
    EAR99
    120MOhm
    DUAL
    鸥翼
    R-PDSO-G4
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    2.5V
    20A
    90 mJ
    150°C
    2.5 V
    无SVHC
    无
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