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首页 全部分类 BSP613PH6327XTSA1 vs FDT86106LZ

BSP613PH6327XTSA1备选型号: FDT86106LZ

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  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 栅源电压
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  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSP613PH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    BSP613PH6327XTSA1 P-Channel MOSFET, 2.9 A, 60 V SIPMOS, 3 Tab-Pin SOT-223 Infineon
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    PG-SOT223-4
    2.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SIPMOS®
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    -60V
    -2.9A
    1
    Single
    1.8W
    6.7 ns
    P-Channel
    130mOhm @ 2.9A, 10V
    4V @ 1mA
    无卤素
    875pF @ 25V
    33nC @ 10V
    9ns
    60V
    ±20V
    7 ns
    2.9A
    20V
    -60V
    -60V
    875pF
    110mOhm
    130 mΩ
    1.5mm
    40mm
    40mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDT86106LZ
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    -
    3.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    2.2W
    3.8 ns
    N-Channel
    108m Ω @ 3.2A, 10V
    2.2V @ 250μA
    -
    315pF @ 50V
    7nC @ 10V
    1.3ns
    -
    ±20V
    1.5 ns
    3.2A
    20V
    -
    100V
    -
    -
    -
    1.7mm
    3.7mm
    6.7mm
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
    250.2mg
    SILICON
    e3
    yes
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
    DUAL
    鸥翼
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    1.5V
    1.5 V
    5 pF
    无SVHC
    无
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