Infineon Technologies BSP613PH6327XTSA1
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BSP613PH6327XTSA1
1211-BSP613PH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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BSP613PH6327XTSA1 P-Channel MOSFET, 2.9 A, 60 V SIPMOS, 3 Tab-Pin SOT-223 Infineon
--最小包装量--
BSP613PH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSP613PH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
供应商器件包装
PG-SOT223-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
Turn Off Delay Time
26 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
SIPMOS®
已出版
2003
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-60V
额定电流
-2.9A
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
1.8W
接通延迟时间
6.7 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
130mOhm @ 2.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
875pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 10V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
2.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
-60V
漏源击穿电压
-60V
输入电容
875pF
漏源电阻
110mOhm
最大rds
130 mΩ
高度
1.5mm
长度
40mm
宽度
40mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
BSP613PH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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