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首页 全部分类 BSP615S2L vs BSP318SL6327HTSA1

BSP615S2L备选型号: BSP318SL6327HTSA1

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSP615S2L
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    2.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2003
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    55V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    2.8A
    未说明
    4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 1.4A, 10V
    2V @ 12μA
    330pF @ 25V
    10nC @ 10V
    ±20V
    2.8A
    20V
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP318SL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    1999
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    -
    -
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    N-Channel
    -
    90m Ω @ 2.6A, 10V
    2V @ 20μA
    380pF @ 25V
    20nC @ 10V
    ±20V
    2.6A
    20V
    符合RoHS标准
    -
    12 ns
    15ns
    60V
    15 ns
    60V
    60 mJ
    无
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