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首页 全部分类 BSP615S2L vs BUK9880-55,135

BSP615S2L备选型号: BUK9880-55,135

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  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • JESD-30代码
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSP615S2L
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    2.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2003
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    55V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    2.8A
    未说明
    4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 1.4A, 10V
    2V @ 12μA
    330pF @ 25V
    10nC @ 10V
    ±20V
    2.8A
    20V
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9880-55,135
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    73
    SILICON
    7.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    -
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    40
    4
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 5A, 5V
    2V @ 1mA
    650pF @ 25V
    -
    ±10V
    7.5A
    10V
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin
    R-PDSO-G4
    10 ns
    30ns
    30 ns
    3.5A
    0.08Ohm
    55V
    40A
    30 mJ
    无
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