Nexperia USA Inc. BUK9880-55,135

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

73

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

8.3W Tc

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

附加功能

ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 5A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650pF @ 25V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

7.5A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.08Ohm

漏源击穿电压

55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

雪崩能量等级（Eas）

30 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅