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BSP88H6327XTSA1备选型号: STN1NF20
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 最小工作温度
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
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- 无铅
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
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- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A T/R10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4PG-SOT223-4250.212891mg350mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®2008活跃1 (Unlimited)150°C-55°C11.8W3.6 nsN-Channel6Ohm @ 350mA, 10V1.4V @ 108μA无卤素95pF @ 25V6.8nC @ 10V3.5ns240V±20V18.9 ns350mA20V240V240V76pF6Ohm600 mΩ1.6mm6.5mm3.5mmROHS3 Compliant无铅---------------
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-22312 Weeks-表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4--1A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)STripFET™ II-活跃1 (Unlimited)---2W-N-Channel1.5 Ω @ 500mA, 10V4V @ 250μA-90pF @ 25V5.7nC @ 10V5.6ns-±20V12.4 ns1A20V-200V------ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)SILICON4EAR99DUAL鸥翼STN1NSingle增强型MOSFETDRAINSWITCHING1A4A70 mJ无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STN1NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 | 对比 |
| BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | 对比 |
| BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
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