您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSP89,115 vs BSP88H6327XTSA1

BSP89,115备选型号: BSP88H6327XTSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 底架
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    BSP89,115
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - BSP89,115 - MOSFET, N CH, 240V, 375MA, SOT223
    4 Weeks
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    YES
    3
    SILICON
    375mA Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    DUAL
    鸥翼
    4
    R-PDSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.5W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5 Ω @ 340mA, 10V
    2V @ 1mA
    120pF @ 25V
    240V
    ±20V
    373mA
    7.5Ohm
    1.5A
    240V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP88H6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    4
    -
    350mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.8W
    -
    N-Channel
    -
    6Ohm @ 350mA, 10V
    1.4V @ 108μA
    95pF @ 25V
    240V
    ±20V
    350mA
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    表面贴装
    PG-SOT223-4
    250.212891mg
    SIPMOS®
    150°C
    -55°C
    1
    3.6 ns
    无卤素
    6.8nC @ 10V
    3.5ns
    18.9 ns
    20V
    240V
    240V
    76pF
    6Ohm
    600 mΩ
    1.6mm
    6.5mm
    3.5mm
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
ZVNL120GTA ZVNL120GTA Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R 对比
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A T/R 对比