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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.233817
10
¥7.767753
100
¥7.32807
500
¥6.913273
1000
¥6.521955
Nexperia USA Inc. BSP89,115
- 收藏
- 对比
BSP89,115
1729-BSP89,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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NEXPERIA - BSP89,115 - MOSFET, N CH, 240V, 375MA, SOT223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSP89,115详情
Nexperia USA Inc. BSP89,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
375mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.5W Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.5W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5 Ω @ 340mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
120pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
240V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
373mA
漏极-源极导通最大电阻
7.5Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
1.5A
DS 击穿电压-最小值
240V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSP89,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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