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首页 全部分类 BSR92PH6327XTSA1 vs FDG6302P

BSR92PH6327XTSA1备选型号: FDG6302P

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  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    BSR92PH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    140mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    AEC-Q101
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    6.4 ns
    P-Channel
    11 Ω @ 140mA, 10V
    1V @ 130μA
    无卤素
    109pF @ 25V
    4.8nC @ 10V
    6.3ns
    250V
    ±20V
    71 ns
    140mA
    -1.5V
    20V
    -250V
    0.14A
    8 pF
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG6302P
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    -
    140mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    1999
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2 P-Channel (Dual)
    10Ohm @ 140mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    -
    12pF @ 10V
    0.31nC @ 4.5V
    8ns
    25V
    -
    8 ns
    -140mA
    -
    -8V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    SC-88 (SC-70-6)
    150°C
    -55°C
    -25V
    300mW
    -140mA
    Dual
    300mW
    300mW
    -25V
    12pF
    逻辑电平门
    10Ohm
    10 Ω
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