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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.237548
10
¥3.054294
100
¥2.881412
500
¥2.718311
1000
¥2.564442
ON Semiconductor FDG6302P
- 收藏
- 对比
FDG6302P
1807-FDG6302P
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDG6302P详情
ON Semiconductor FDG6302P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
供应商器件包装
SC-88 (SC-70-6)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
140mA
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1999
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-25V
最大功率耗散
300mW
额定电流
-140mA
元素配置
Dual
功率耗散
300mW
功率 - 最大
300mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
10Ohm @ 140mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
12pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.31nC @ 4.5V
上升时间
8ns
漏源电压 (Vdss)
25V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
-140mA
栅极至源极电压(Vgs)
-8V
漏源击穿电压
-25V
输入电容
12pF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
10Ohm
最大rds
10 Ω
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDG6302P拓展信息








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