FDG6302P
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ON Semiconductor FDG6302P

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型号

FDG6302P

utmel 编号

1807-FDG6302P

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6

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FDG6302P
FDG6302P ON Semiconductor MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6

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FDG6302P详情

ON Semiconductor FDG6302P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 供应商器件包装

    SC-88 (SC-70-6)

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    140mA

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    9 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    1999

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    -25V

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 额定电流

    -140mA

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    300mW

  • 功率 - 最大

    300mW

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    10Ohm @ 140mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    12pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.31nC @ 4.5V

  • 上升时间

    8ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    25V

  • 下降时间(典型值)

    8 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -140mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    -8V

  • 漏源击穿电压

    -25V

  • 输入电容

    12pF

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 漏源电阻

    10Ohm

  • 最大rds

    10 Ω

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FDG6302P相似的参数规格。

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FDG6302P拓展信息

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