Infineon Technologies BSR92PH6327XTSA1
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BSR92PH6327XTSA1
1211-BSR92PH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3
--最小包装量--
BSR92PH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSR92PH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
140mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Tc
Turn Off Delay Time
75 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
AEC-Q101
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
6.4 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
11 Ω @ 140mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 130μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
109pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.8nC @ 10V
上升时间
6.3ns
漏源电压 (Vdss)
250V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
71 ns
连续放电电流(ID)
140mA
阈值电压
-1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
-250V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.14A
反馈上限-最大值 (Crss)
8 pF
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSR92PH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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