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BSS131H6327XTSA1备选型号: BSS84
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 通道数量
- 电压
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 供应商器件包装
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 电流
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 长度
MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT2310 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON110mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®1997e3活跃1 (Unlimited)3SMD/SMTEAR99逻辑电平兼容DUAL鸥翼3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1240V增强型MOSFET360mW3.3 nsN-Channel14 Ω @ 100mA, 10V1.8V @ 56μA无卤素77pF @ 25V3.1nC @ 10V3.1ns±20V100mA1.4V20V240V240V240V150°C1.4 V4.2 pF1.1mm3.05mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------------- MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-238 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-130mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2013-活跃1 (Unlimited)-SMD/SMT-------50V-360mW2.5 nsP-Channel10Ohm @ 100mA, 5V2V @ 1mA-73pF @ 25V1.3nC @ 5V6.3ns±20V130mA-1.7V20V--50V-50V--1.7 V-930μm3.05mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)SOT-23-310Ohm150°C-55°C-50V-130mASingle13A50V6.3 ns73pF10Ohm10 Ω2.92mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS139H6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
 | BSS84-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 | 对比 |
| BSS84 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | 对比 |
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