Infineon Technologies BSS131H6327XTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

110mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360mW Ta

Turn Off Delay Time

13.7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

电压

240V

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

360mW

接通延迟时间

3.3 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

14 Ω @ 100mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 56μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

77pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.1nC @ 10V

上升时间

3.1ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

100mA

阈值电压

1.4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

240V

漏源击穿电压

240V

双电源电压

240V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

1.4 V

反馈上限-最大值 (Crss)

4.2 pF

高度

1.1mm

宽度

3.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅