BSS192PH6327FTSA1备选型号: BSS225H6327FTSA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 引脚数量
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R10 Weeks表面贴装表面贴装TO-243AA3SILICON190mA Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SIPMOS®2002yes活跃1 (Unlimited)3EAR99FLAT未说明未说明Single增强型MOSFET1WDRAIN4.7 nsP-Channel12 Ω @ 190mA, 10V2V @ 130μA104pF @ 25V6.1nC @ 10V5.2ns250V±20V50 ns190mA20V-250V-250V8 pF1.5mm4.5mm2.5mmROHS3 Compliant无铅------
- Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R10 Weeks表面贴装表面贴装TO-243AA3SILICON1-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SIPMOS®2011yes活跃1 (Unlimited)3EAR99FLAT未说明未说明Single增强型MOSFET1WDRAIN14 nsN-Channel45 Ω @ 90mA, 10V2.3V @ 94μA131pF @ 25V5.8nC @ 10V38ns-±20V41 ns90mA20V600V600V4.4 pF1.5mm4.5mm2.5mmROHS3 Compliant含铅Tin逻辑电平兼容600V90mA30.09A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-243AA | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R | 对比 |
![]() | BSS87H6327FTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-243AA | In a Pack of 100, N-Channel MOSFET, 260 mA, 240 V, 3-Pin SOT-89 Infineon BSS87H6327XTSA1 | 对比 |



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