Infineon Technologies BSS87H6327FTSA1

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

260mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Turn Off Delay Time

17.6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

1997

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-F4

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

3.7 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 260mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 108μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

97pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.5nC @ 10V

上升时间

3.5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

27.3 ns

连续放电电流(ID)

290mA

阈值电压

1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

240V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.26A

漏极-源极导通最大电阻

6Ohm

漏源击穿电压

240V

双电源电压

240V

栅源电压

1.5 V

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅