Infineon Technologies BSS225H6327FTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Turn Off Delay Time

62 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

90mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

SIPMOS®

已出版

2011

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

600V

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

90mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

45 Ω @ 90mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 94μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

131pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.8nC @ 10V

上升时间

38ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

41 ns

连续放电电流(ID)

90mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.09A

漏源击穿电压

600V

反馈上限-最大值 (Crss)

4.4 pF

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅