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首页 全部分类 BSS225H6327FTSA1 vs BSS606NH6327XTSA1

BSS225H6327FTSA1备选型号: BSS606NH6327XTSA1

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    BSS225H6327FTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    3
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SIPMOS®
    2011
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    逻辑电平兼容
    600V
    FLAT
    未说明
    90mA
    未说明
    3
    Single
    增强型MOSFET
    1W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    45 Ω @ 90mA, 10V
    2.3V @ 94μA
    131pF @ 25V
    5.8nC @ 10V
    38ns
    ±20V
    41 ns
    90mA
    20V
    600V
    0.09A
    600V
    4.4 pF
    1.5mm
    4.5mm
    2.5mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSS606NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    On a Reel of 1000, N-Channel MOSFET, 3.2 A, 60 V, 4-Pin PG-SOT-89 Infineon BSS606NH6327XTSA1
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    4
    -
    3.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    1W
    -
    -
    N-Channel
    60mOhm @ 3.2A, 10V
    2.3V @ 15μA
    657pF @ 25V
    5.6nC @ 5V
    -
    ±20V
    -
    3.2A
    20V
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-SOT89
    150°C
    -55°C
    无卤素
    60V
    657pF
    60mOhm
    60 mΩ
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