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首页 全部分类 BSS84AKS,115 vs DMN65D8LDW-7

BSS84AKS,115备选型号: DMN65D8LDW-7

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  • 配置
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  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 底架
  • 触点镀层
  • 质量
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 最大功率耗散
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  • 功率耗散
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    BSS84AKS,115
    Nexperia USA Inc.
    Dual P-Channel 50 V 7.5 Ohm 0.26 nC Surface Mount Trench Mosfet - SOT-363
    4 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    SILICON
    160mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2007
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    鸥翼
    260
    30
    6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    445mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    7.5 Ω @ 100mA, 10V
    2.1V @ 250μA
    36pF @ 25V
    0.35nC @ 5V
    50V
    8.5Ohm
    50V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN65D8LDW-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
    15 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    260
    40
    6
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    6 Ω @ 115mA, 10V
    2V @ 250μA
    22pF @ 25V
    0.87nC @ 10V
    60V
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    Tin
    6.010099mg
    yes
    EAR99
    6Ohm
    300mW
    DMN65D8LDW
    300mW
    3.3 ns
    3.2ns
    6.3 ns
    180mA
    20V
    0.15A
    60V
    150°C
    1.1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    无铅
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