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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.179801
10
¥2.999812
100
¥2.830011
500
¥2.669822
1000
¥2.5187
Nexperia USA Inc. BSS84AKS,115
- 收藏
- 对比
BSS84AKS,115
1729-BSS84AKS,115
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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Dual P-Channel 50 V 7.5 Ohm 0.26 nC Surface Mount Trench Mosfet - SOT-363
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSS84AKS,115详情
Nexperia USA Inc. BSS84AKS,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
160mA
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
445mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5 Ω @ 100mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
36pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.35nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
50V
漏极-源极导通最大电阻
8.5Ohm
DS 击穿电压-最小值
50V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSS84AKS,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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