您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSS87H6327FTSA1 vs ZXMN3A01ZTA

BSS87H6327FTSA1备选型号: ZXMN3A01ZTA

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 晶体管应用
  • Infineon Technologies
    BSS87H6327FTSA1
    Infineon Technologies
    In a Pack of 100, N-Channel MOSFET, 260 mA, 240 V, 3-Pin SOT-89 Infineon BSS87H6327XTSA1
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    3
    SILICON
    260mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    1997
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    DUAL
    FLAT
    4
    R-PDSO-F4
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1W
    DRAIN
    3.7 ns
    N-Channel
    6 Ω @ 260mA, 10V
    1.8V @ 108μA
    97pF @ 25V
    5.5nC @ 10V
    3.5ns
    ±20V
    27.3 ns
    290mA
    1.5V
    20V
    240V
    0.26A
    6Ohm
    240V
    240V
    1.5 V
    1.5mm
    4.5mm
    2.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN3A01ZTA
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    -
    SILICON
    2.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    FLAT
    -
    R-PSSO-F3
    1
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    2.6 ns
    N-Channel
    120m Ω @ 2.5A, 10V
    1V @ 250μA
    186pF @ 25V
    5nC @ 10V
    4.1ns
    ±20V
    3.6 ns
    2.2A
    -
    20V
    -
    3.3A
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    130.492855mg
    120mOhm
    260
    40
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-243AA Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R 对比
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-243AA Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R 对比
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-243AA MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 对比