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首页 全部分类 BSZ018NE2LSATMA1 vs BSC024NE2LSATMA1

BSZ018NE2LSATMA1备选型号: BSC024NE2LSATMA1

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
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  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 资历状况
  • 接通延迟时间
  • 下降时间（典型值）
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    BSZ018NE2LSATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
    18 Weeks
    8-PowerTDFN
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    2.1W Ta 69W Tc
    2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    超低电阻
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    S-PDSO-F3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    2800pF @ 12V
    39nC @ 10V
    4.4ns
    ±20V
    23A
    2V
    20V
    25V
    0.0024Ohm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC024NE2LSATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON T/R
    26 Weeks
    8-PowerTDFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    25A Ta 100A Tc
    2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    1700pF @ 12V
    23nC @ 10V
    3.6ns
    ±20V
    25A
    2V
    20V
    25V
    0.0034Ohm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin (Sn)
    不合格
    4.1 ns
    2.6 ns
    400A
    40 mJ
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