Infineon Technologies BSF030NE2LQXUMA1

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Silver

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-WDSON

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A Ta 75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta 28W Tc

Turn Off Delay Time

18 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2001

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

R-MBCC-N2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

2.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

上升时间

3.4ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2.6 ns

连续放电电流(ID)

24A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

漏极-源极导通最大电阻

0.0041Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

DS 击穿电压-最小值

25V

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant