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首页 全部分类 BSZ018NE2LSATMA1 vs FDMS7676

BSZ018NE2LSATMA1备选型号: FDMS7676

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  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSZ018NE2LSATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
    18 Weeks
    8-PowerTDFN
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    2.1W Ta 69W Tc
    2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    超低电阻
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    S-PDSO-F3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    2800pF @ 12V
    39nC @ 10V
    4.4ns
    ±20V
    23A
    2V
    20V
    25V
    0.0024Ohm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7676
    ON Semiconductor
    MOSFET 30/20V N-Chan PowerTrench
    18 Weeks
    8-PowerTDFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    16A Ta 28A Tc
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 19A, 10V
    -
    2960pF @ 15V
    44nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    28A
    2V
    20V
    -
    0.0055Ohm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    68.1mg
    Tin (Sn)
    Single
    13 ns
    4 ns
    76A
    30V
    90A
    72 mJ
    2 V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无
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