Infineon Technologies BSZ018NE2LSATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

包装/外壳

8-PowerTDFN

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 69W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

23A Ta 40A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

超低电阻

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-F3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.1W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8m Ω @ 30A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2800pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39nC @ 10V

上升时间

4.4ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

23A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.0024Ohm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅