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BSZ031NE2LS5ATMA1备选型号: BSZ033NE2LS5ATMA1

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • Infineon Technologies
    BSZ031NE2LS5ATMA1
    Infineon Technologies
    BSZ031NE2LS5 series 25V 40A 3.1 mOhm N-Ch S3O8 OptiMOS? 5
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    19A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.1m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    1230pF @ 12V
    18.3nC @ 10V
    ±16V
    40A
    25V
    19A
    0.0039Ohm
    160A
    20 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ033NE2LS5ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans Mosfet N-ch 25V 40A 8-PIN Tsdson T/r
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    18A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    1230pF @ 12V
    18.3nC @ 10V
    ±16V
    40A
    25V
    -
    0.0041Ohm
    160A
    20 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    EAR99
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