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首页 全部分类 BSZ031NE2LS5ATMA1 vs IRFH8316TRPBF

BSZ031NE2LS5ATMA1备选型号: IRFH8316TRPBF

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  • 接通延迟时间
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    BSZ031NE2LS5ATMA1
    Infineon Technologies
    BSZ031NE2LS5 series 25V 40A 3.1 mOhm N-Ch S3O8 OptiMOS? 5
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    19A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.1m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    1230pF @ 12V
    18.3nC @ 10V
    ±16V
    40A
    25V
    19A
    0.0039Ohm
    160A
    20 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8316TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    27A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    2.95m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 50μA
    -
    3610pF @ 10V
    59nC @ 10V
    ±20V
    27A
    -
    50A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    1
    Single
    3.6W
    19 ns
    67ns
    24 ns
    20V
    30V
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