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首页 全部分类 BSZ031NE2LS5ATMA1 vs FDMS0308AS

BSZ031NE2LS5ATMA1备选型号: FDMS0308AS

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    BSZ031NE2LS5ATMA1
    Infineon Technologies
    BSZ031NE2LS5 series 25V 40A 3.1 mOhm N-Ch S3O8 OptiMOS? 5
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    19A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.1m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    1230pF @ 12V
    18.3nC @ 10V
    ±16V
    40A
    25V
    19A
    0.0039Ohm
    160A
    20 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS0308AS
    ON Semiconductor
    MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/Server
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    24A Ta 49A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8m Ω @ 24A, 10V
    3V @ 1mA
    -
    3000pF @ 15V
    47nC @ 10V
    ±20V
    49A
    -
    24A
    -
    100A
    66 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    68.1mg
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    13 ns
    4.5ns
    3.7 ns
    MO-240AA
    20V
    30V
    1mm
    6mm
    5mm
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