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首页 全部分类 BSZ0506NSATMA1 vs FDMS0309AS

BSZ0506NSATMA1备选型号: FDMS0309AS

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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    BSZ0506NSATMA1
    Infineon Technologies
    In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ0506NSATMA1
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    15A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4.4m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    950pF @ 15V
    15nC @ 10V
    2.4ns
    ±20V
    40A
    20V
    30V
    15A
    0.0053Ohm
    160A
    20 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS0309AS
    ON Semiconductor
    MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/Server
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    2.5W Ta 50W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    260
    not_compliant
    30
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 21A, 10V
    3V @ 1mA
    -
    3000pF @ 15V
    47nC @ 10V
    4.5ns
    ±20V
    49A
    20V
    -
    -
    0.0035Ohm
    -
    66 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    68.1mg
    e3
    1
    Single
    2.5W
    11 ns
    3.7 ns
    MO-240AA
    30V
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