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首页 全部分类 BSZ0506NSATMA1 vs FDMS0310S

BSZ0506NSATMA1备选型号: FDMS0310S

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  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 宽度
  • 长度
  • Infineon Technologies
    BSZ0506NSATMA1
    Infineon Technologies
    In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ0506NSATMA1
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    15A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4.4m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    950pF @ 15V
    15nC @ 10V
    2.4ns
    ±20V
    40A
    20V
    30V
    15A
    0.0053Ohm
    160A
    20 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS0310S
    ON Semiconductor
    MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/Server
    18 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    19A Ta 42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    2006
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 18A, 10V
    3V @ 1mA
    -
    2820pF @ 15V
    46nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    42A
    20V
    -
    19A
    0.004Ohm
    90A
    60 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    68.1mg
    e3
    Tin (Sn)
    2
    Single
    12 ns
    30V
    4 ns
    30V
    1mm
    5mm
    6mm
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