BSZ0902NSATMA1备选型号: FDMS7698
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN819A Ta 40A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013e3no活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)未说明not_compliant未说明2.1W4.2 nsN-Channel2.6m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA无卤素1700pF @ 15V26nC @ 10V5.2ns±20V3.6 ns19A2V20V30V无SVHCROHS3 Compliant含铅--------------------
- MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER5626 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN813.5A Ta 22A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2010e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)---29W9 nsN-Channel10m Ω @ 13.5A, 10V3V @ 250μA-1605pF @ 15V24nC @ 10V3ns±20V3 ns22A2V20V-无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)74mgSILICON5DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFETDRAINSWITCHINGMO-240AA30V50A29 mJ2 V1.05mm5mm6mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS7698 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56 | 对比 | |
![]() | BSZ035N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP | 对比 |
| FDMC7696 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 对比 |




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