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首页 全部分类 BSZ100N03MSGATMA1 vs FDMS3660S

BSZ100N03MSGATMA1备选型号: FDMS3660S

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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSZ100N03MSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    10A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2005
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    S-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.1m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    1700pF @ 15V
    23nC @ 10V
    2.8ns
    ±20V
    40A
    2V
    16V
    30V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS3660S
    ON Semiconductor
    MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    30A 60A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    FLAT
    -
    -
    -
    -
    R-PDSO-F6
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    8m Ω @ 13A, 10V
    2.7V @ 250μA
    -
    1765pF @ 15V
    29nC @ 10V
    -
    -
    30A
    1.5V
    12V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    171mg
    2.5W
    FDMS3660S
    Dual
    7.7 ns
    1W
    13A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5 V
    70 pF
    1.1mm
    5mm
    5.9mm
    无
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