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BSZ100N03MSGATMA1备选型号: IRFH7914TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电阻
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON18 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON10A Ta 40A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2005e3no活跃1 (Unlimited)5EAR99DUAL无铅未说明not_compliant未说明8S-PDSO-N5不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.1WDRAINN-ChannelSWITCHING9.1m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA无卤素1700pF @ 15V23nC @ 10V2.8ns±20V40A2V16V30V无SVHCROHS3 Compliant含铅-------------
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN12 Weeks-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON15A Ta 35A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99DUAL-260-30-R-PDSO-N3-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET3.1WDRAINN-ChannelSWITCHING8.7m Ω @ 14A, 10V2.35V @ 25μA-1160pF @ 15V12nC @ 4.5V11ns±20V35A1.8V20V-无SVHCROHS3 Compliant无铅SMD/SMT8.7MOhmMatte Tin (Sn)IRFH791411 ns4.6 ns30V30V1.8 V1.1684mm5.2324mm6.1468mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTD70N03RT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 10A DPAK | 对比 |
| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN | 对比 |
 | FDMS3660S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET | 对比 |
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