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首页 全部分类 BSZ100N03MSGATMA1 vs NTD70N03RT4G

BSZ100N03MSGATMA1备选型号: NTD70N03RT4G

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  • 额定电流
  • 元素配置
  • 下降时间（典型值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    BSZ100N03MSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    10A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2005
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    S-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.1m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    1700pF @ 15V
    23nC @ 10V
    2.8ns
    ±20V
    40A
    2V
    16V
    30V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD70N03RT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 10A DPAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    SILICON
    10A Ta 32A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    1.87W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    -
    1333pF @ 20V
    13.2nC @ 5V
    1.3ns
    ±20V
    75A
    1.5V
    20V
    -
    Unknown
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    5.6MOhm
    Tin (Sn)
    25V
    70A
    Single
    1.3 ns
    32A
    25V
    71.7 mJ
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