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首页 全部分类 BSZ100N06NSATMA1 vs BSC097N06NSATMA1

BSZ100N06NSATMA1备选型号: BSC097N06NSATMA1

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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • Infineon Technologies
    BSZ100N06NSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PG-TSDSON-8-FL
    40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    10mOhm @ 20A, 10V
    3.3V @ 14μA
    无卤素
    1075pF @ 30V
    15nC @ 10V
    2ns
    60V
    ±20V
    40A
    20V
    60V
    1.075nF
    8.5mOhm
    10 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC097N06NSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    46A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    9.7m Ω @ 40A, 10V
    3.3V @ 14μA
    无卤素
    1075pF @ 30V
    15nC @ 10V
    2ns
    -
    ±20V
    46A
    20V
    60V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SILICON
    e3
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    2.8V
    12A
    0.0097Ohm
    13 mJ
    无SVHC
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