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首页 全部分类 BSZ100N06NSATMA1 vs IPB45N06S409ATMA2

BSZ100N06NSATMA1备选型号: IPB45N06S409ATMA2

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  • Infineon Technologies
    BSZ100N06NSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PG-TSDSON-8-FL
    40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    10mOhm @ 20A, 10V
    3.3V @ 14μA
    无卤素
    1075pF @ 30V
    15nC @ 10V
    2ns
    60V
    ±20V
    40A
    20V
    60V
    1.075nF
    8.5mOhm
    10 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB45N06S409ATMA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    45A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    9.4m Ω @ 45A, 10V
    4V @ 34μA
    -
    3785pF @ 25V
    47nC @ 10V
    40ns
    -
    ±20V
    45A
    20V
    60V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    1.946308g
    SILICON
    e3
    yes
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    15 ns
    5 ns
    97 mJ
    4.4mm
    10mm
    9.25mm
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