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BSZ110N08NS5ATMA1备选型号: BSB104N08NP3GXUSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON40A Tc3.8V @ 22μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013yes活跃1 (Unlimited)3EAR99DUAL无铅未说明未说明S-PDSO-N31Single增强型MOSFETDRAIN9 nsN-ChannelSWITCHING11m Ω @ 20A, 10V无卤素1300pF @ 40V18.5nC @ 10V3ns±20V3 ns40A20V80V80V40 mJnot_compliantROHS3 Compliant含铅-------
MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON26 Weeks表面贴装表面贴装3-WDSON3SILICON2.8W Ta 42W Tc3.5V @ 40μA-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008-活跃3 (168 Hours)3EAR99BOTTOM无铅未说明未说明---增强型MOSFETDRAIN-N-ChannelSWITCHING10.4m Ω @ 10A, 10V无卤素2100pF @ 40V31nC @ 10V4ns±20V-50A20V--110 mJ-ROHS3 Compliant-e4Silver/Nickel (Ag/Ni)SINGLE WITH BUILT-IN DIODE80V0.0104Ohm200A80V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSC097N06NSATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8 | 对比 |
 | FDD13AN06A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R | 对比 |
| BSB104N08NP3GXUSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-WDSON | MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON | 对比 |
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