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首页 全部分类 BSZ110N08NS5ATMA1 vs FDD13AN06A0

BSZ110N08NS5ATMA1备选型号: FDD13AN06A0

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 终端
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSZ110N08NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    40A Tc
    3.8V @ 22μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    1300pF @ 40V
    18.5nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    3 ns
    40A
    20V
    80V
    80V
    40 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD13AN06A0
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    26 ns
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2003
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 50A, 10V
    -
    1350pF @ 25V
    29nC @ 10V
    77ns
    ±20V
    25 ns
    50A
    20V
    -
    60V
    56 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    260.37mg
    e3
    SMD/SMT
    60V
    9.9A
    FDD13AN06
    115W
    4V
    TO-252AA
    60V
    4 V
    6.22mm
    2.39mm
    6.73mm
    无
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