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首页 全部分类 BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSC097N06NSATMA1

BSZ110N08NS5ATMA1备选型号: BSC097N06NSATMA1

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 包装
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • 配置
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    BSZ110N08NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    40A Tc
    3.8V @ 22μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    1300pF @ 40V
    18.5nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    3 ns
    40A
    20V
    80V
    80V
    40 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC097N06NSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    46A Tc
    3.3V @ 14μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2005
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    9.7m Ω @ 40A, 10V
    无卤素
    1075pF @ 30V
    15nC @ 10V
    2ns
    ±20V
    -
    46A
    20V
    60V
    -
    13 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    e3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2.8V
    12A
    0.0097Ohm
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