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BTS282ZAKSA1备选型号: FDP5800

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BTS282ZAKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive 7-Pin(7 Tab) TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-7
    SILICON
    80A Tc
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TEMPFET®
    2001
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    7
    R-PSFM-T7
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 36A, 10V
    2V @ 240μA
    4800pF @ 25V
    232nC @ 10V
    37ns
    49V
    ±20V
    36 ns
    80A
    20V
    0.0095Ohm
    320A
    49V
    2000 mJ
    温度传感二极管
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP5800
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 14A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    14A Ta 80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    242W
    -
    18 ns
    N-Channel
    -
    6m Ω @ 80A, 10V
    2.5V @ 250μA
    9160pF @ 15V
    145nC @ 10V
    19ns
    -
    ±20V
    9 ns
    80A
    20V
    -
    -
    -
    652 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    11 Weeks
    3
    4.535924g
    e3
    6MOhm
    Tin (Sn)
    60V
    未说明
    14A
    未说明
    不合格
    60V
    Single
    81A
    2.5V
    60V
    15.7mm
    9.9mm
    4.5mm
    无SVHC
    无铅
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